Транзистор 2П302Б
Стоимость продукции указана без НДС.
Назначение и описание.
Транзисторы 2П302Б кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и комм..
350р.
Транзистор 2Т208ВСтоимость продукции указана без НДС.Назначение и описание.Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные транзисторы 2Т208В предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металло-..
98р.
Транзистор 2Т316Б
Стоимость продукции указана без НДС.
Назначение и описание.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, универсальные 2Т316Б предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В) и,..
50р.
Транзистор 2Т606АСтоимость продукции указана без НДС.Назначение и описание.Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные транзисторы 2Т606А используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения и, предназначены для применения в усилителях мощности, умножи..
63р.
Транзистор 2Т630АСтоимость продукции указана без НДС.Назначение и описание.Кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные транзисторы 2Т630А предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых с..
465р.
Транзистор 2Т630БСтоимость продукции указана без НДС.Назначение и описание.Кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные транзисторы 2Т630Б предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых с..
650р.
Транзистор 2Т803А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Транзисторы кремниевые 2Т803А (мезапланарные структуры n-p-n универсальные) предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлос..
395р.
Транзистор 2Т812А
Стоимость продукции указана без НДС.
Назначение и описание.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные 2Т812А предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах и, используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры спец..
150р.
Транзистор 2Т818А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Транзисторы кремниевые 2Т818А (мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные) предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом кор..
240р.
Транзистор 2Т825А
Стоимость продукции указана без НДС.
Назначение и описание.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные 2Т825А предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Транзист..
850р.
Транзистор 2Т831Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Транзисторы кремниевые 2Т831Б (мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные) предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в мета..
398р.
Транзистор 2Т834А
Стоимость продукции указана без НДС.
Назначение и описание.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, переключательные 2Т834А предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Вы..
2070р.
Транзистор 2Т908А
Стоимость продукции указана без НДС.
Назначение и описание.
Транзисторы (кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные) 2Т908А предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах и, используются для работы в радиоэлек..
1200р.
Транзистор 2Т922В
Стоимость продукции указана без НДС.
Назначение и описание.
Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные СВЧ транзисторы 2Т922В предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении п..
820р.
Транзистор 2Т945А.Стоимость продукции указана без НДС.Назначение.Транзисторы 2Т945А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Транзисторы 2Т945А , 2Т945Б, 2Т945В, 2Т945Г выпускаются в металлическом корпус..
1400р.
Транзистор IRF640NPBFСтоимость продукции указана без НДС.Описание.Одиночные MOSFET транзисторы. Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А, 150 Вт, 0.15 ОмХарактеристики IRF640NPBF- Корпус: TO-220-3- Структура транзистора: N-Channel- Напряжение: 220В- Максимальный ток: 18 A- Максимальная рассеивае..
81р.
Транзистор КТ117АСтоимость продукции указана без НДС.Делаем доставку по городам и регионам: Москва, Тверь, Тула, Брянск, Липецк, Смоленск, Нижний Новгород, Ярославль, Вологда, Санкт-Петербург, Петрозаводск, Казань, Ульяновск, Пенза, Самара, Саратов, Волгоград, Ростов-на-Дону, Краснодар, Ставрополь,..
355р.
Транзистор ГТ403Г
Цена указана без НДС.
Делаем доставку по городам и регионам: Москва, Тверь, Тула, Брянск, Липецк, Смоленск, Нижний Новгород, Ярославль, Вологда, Санкт-Петербург, Петрозаводск, Казань, Ульяновск, Пенза, Самара, Саратов, Волгоград, Ростов-на-Дону, Краснодар, Ставро..
60р.
Транзистор КТ342А. Стоимость продукции указана без НДС.КТ342А.Транзистор КТ342А (золото) «5».Год выпуск 1980-1986.Склад 15шт...
1000р.
Транзистор КТ808АЗ. Стоимость продукции указана без НДС.
Транзистор КТ808АМ...
380р.
Показано с 1 по 20 из 20 (всего 1 страниц)