- Наличие: В наличии
- Бренд: СПБЗИП
- Артикул: ART/113-904
Микросхема 198НТ5А
Цена указана без НДС.
198НТ5А изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхема 198НТ5А представляет собой матрицу p-n-p транзисторов.
Содержит 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Минимальная наработка микросхем:
- в режимах и условиях допускаемых ТУ - 100000 ч;
- в облегченных режимах при напряжениях, токах и мощностях, не превышающих 60 % от предельных значений - 120000 ч.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище - 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру (в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП - 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
Основные технические характеристики
| Статический коэффициент передачи ток | 30 | 250 |
| Обратный ток коллектора мкА | -0,075 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | 0,85 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | -0,5 | |
| Разброс статических коэффициентов передачи тока (транзисторов VT1, VT2),% | 15 | |
| Разброс напряжения базаэмиттер (транзисторов VT1, VT2), мВ | |5| | |
| Ток утечки, нА | 50 | |
| Обратный ток эмиттера, нА | 100 |