Микросхема 159НТ101ГС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ГС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специ..
500р.
Микросхема 159НТ101Д
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101Д представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального наз..
500р.
Микросхема 159НТ101ДС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ДС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в к..
500р.
Микросхема 159НТ101ДС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ДС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в..
500р.
Микросхема 159НТ101Е
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101Е представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального наз..
500р.
Микросхема 159НТ101ЕС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ЕС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в к..
500р.
Микросхема 159НТ101ЕС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ЕС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в..
500р.
Микросхема 159НТ1А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1А представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назнач..
500р.
Микросхема 159НТ1АС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1АС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в кругл..
500р.
Микросхема 159НТ1АС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1АС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специальн..
500р.
Микросхема 159НТ1Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назнач..
500р.
Микросхема 159НТ1БС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1БС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в кругл..
500р.
Микросхема 159НТ1БС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1БС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специальн..
500р.
Микросхема 159НТ1В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назнач..
500р.
Микросхема 159НТ1ВС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1ВС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в кругл..
500р.
Микросхема 159НТ1ВС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1ВС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специальн..
500р.
Микросхема 159НТ1Г
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1Г представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назнач..
500р.
Микросхема 159НТ1ГС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1ГС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в кругл..
500р.
Микросхема 159НТ1ГС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1ГС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специальн..
500р.
Микросхема 159НТ1Д
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1Д представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назнач..
500р.
Микросхема 159НТ1ДС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1ДС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в кругл..
500р.
Микросхема 159НТ1ДС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1ДС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специальн..
500р.
Микросхема 159НТ1Е
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1Е представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назнач..
400р.
Микросхема 159НТ1ЕС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1ЕС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в кругл..
500р.