- Наличие: В наличии
- Бренд: СПБЗИП
- Артикул: ART/119-081
Силовой диод В-200-10
Цена указана без НДС.
Диоды В200 - штыревые диоды, преобразовывают постоянный и переменный ток до 200А частотой до 500Гц в цепях с напряжением 200В - 1600В. Полярность диода В200 следующая - медное основание диода является катодом, гибкий вывод - анодом. Диоды В-200 собирают с охладителями при помощи резьбового соединения. Чтобы электрические потери были минимальными, а отвод тепла максимальным, при сборке следует обеспечивать необходимый закручивающий момент, так называемое усилие зажатия. Для лучшего отвода тепла диода В200 при сборке используют теплопроводящую пасту КПТ-8, что не является обязательным условием монтажа. В200 могут изготавливаться для эксплуатации в умеренном, холодном и тропическом климате. Применяются силовые диоды в качестве выпрямительных и размагничивающих диодов, для предотвращения пагубного воздействия коммутационных перенапряжений, в низковольтных выпрямителях сварочного и гальванического оборудования, в неуправляемых или полу-управляемых выпрямительных мостах, а также в электрогенераторах промышленности и транспорта.
Основные технические характеристики.
| Силовой диод В200 | |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение URRM | 200-1600 В |
| Класс по напряжению URRM/100 | 2-16 |
| Максимально допустимый средний прямой ток (Температура корпуса) IF(AV)/(TC) | 200 А (100°C) |
| Максимально допустимый действующий прямой ток в открытом состоянии IFRMS | 320 А |
| Ударный прямой ток в открытом состоянии IFSM | 6.6 кА |
| Максимально допустимая температура перехода Tjmax | 140 °C |
| Импульсное прямое напряжение в открытом состоянии / импульсный прямой ток в открытом состоянии UFM/IFM | 1.35/628 В/А |
| Пороговое напряжение диода в открытом состоянии UT(TO) | 0.92 В |
| Динамическое сопротивление в открытом состоянии rT | 0.628 мОм |
| Повторяющийся импульсный обратный ток в закрытом состоянии IRRM | 8 мА |
| Защитный показатель - значение интеграла от квадрата ударного неповторяющегося импульсного прямого тока в открытом состоянии диода за время протекания i2·t | 180 кА2·c |
| Тепловое сопротивление переход - корпус Rth(j-c) | 0.13 °C/Вт |
| Усилие зажатия Md | 50 Нм |
| Масса W | 0.460 кг |
| Рекомендуемые охладители | О171 |